保护电路设计(保护电路)

  • 发布时间:2023-05-11 10:36:50 来源:
标签:
导读 你们好,最近小未来发现有诸多的小伙伴们对于保护电路设计,保护电路这个问题都颇为感兴趣的,今天小活为大家梳理了下,一起往下看看吧。1

你们好,最近小未来发现有诸多的小伙伴们对于保护电路设计,保护电路这个问题都颇为感兴趣的,今天小活为大家梳理了下,一起往下看看吧。

1、 驱动电路(电压型):

2、 如图1所示:图1(a)适用于低频小电流驱动。当控制信号Vi为高电平时,V1导通,对应被控IGBT,输出Vo导通;当控制信号Vi为低电平时,V2开启,由输出Vo控制的IGBT关闭。

3、 图1驱动电路(电压型)

4、 图1(b)是由场效应晶体管构成的推挽电路,其工作原理与图1(a)相同。该电路的高频峰值驱动电流可达10A以上,适用于大功率M0SFET或IGBT。

5、 电子高速检测保护电路:

6、 如图2所示,正常工作时,V2低电平导通VDS,A点的电位通过D2流回D点。因为漏极处于低电位,所以点A也处于低电位,这不会偏置V1,从而影响V2。

7、 图2电子高速检测保护电路

8、 驱动和保护二合一电路

9、 将上述驱动电路与保护电路结合在一起,它们的功能将被整合在一起,这是这一行的独特之处。实际电路如图3所示:

10、 实用驱动保护二合一电路

11、 下图显示了驱动和保护二合一电路。

12、 图3适合低频低功耗驱动。如果用N沟道和P沟道大功率场管代替双极型NPN和PNP晶体管,就可以构成高频大电流驱动器。

13、 图中方波信号用磁环变压器耦合代替光电耦合器进行信号隔离,简单,没有光电耦合器的上升和下降波沿。光电管的速度不能太快,变压器可以获得陡峭的上升和下降波沿,几乎没有传输延迟。使用高频大功率MOSFET驱动器,无论使用什么器件(VMOS或IGBT),都可以获得良好的效果。

14、 该电路驱动速度快,具有过流保护动作,是一种理想的二合一实用电路。

以上就是保护电路这篇文章的一些介绍,希望对大家有所帮助。

  • 免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!